Ṣe afihan awọn oriṣiriṣi awọn sẹẹli

1. ^{Ifihan si Awọn sẹẹli}

(1) Akopọ:Awọn sẹẹli jẹ awọn paati mojuto tiphotovoltaic agbara iran, ati ipa ọna imọ-ẹrọ wọn ati ipele ilana taara ni ipa lori ṣiṣe iṣelọpọ agbara ati igbesi aye iṣẹ ti awọn modulu fọtovoltaic.Awọn sẹẹli fọtovoltaic wa ni awọn opin aarin ti pq ile-iṣẹ fọtovoltaic.Wọn jẹ awọn iwe tinrin semikondokito ti o le yi agbara ina oorun pada si agbara itanna ti a gba nipasẹ sisẹ awọn wafer silikoni ẹyọkan/poly crystalline.

Ilana tiphotovoltaic agbara iranwa lati ipa photoelectric ti semikondokito.Nipasẹ itanna, iyatọ ti o pọju ti wa ni ipilẹṣẹ laarin awọn oriṣiriṣi awọn ẹya ti ni awọn semikondokito isokan tabi awọn semikondokito ni idapo pẹlu awọn irin.O ti wa ni iyipada lati photons (ina ina) sinu elekitironi ati ina agbara sinu itanna lati fẹlẹfẹlẹ kan ti foliteji.ati lọwọlọwọ ilana.Awọn ohun alumọni ohun alumọni ti a ṣe ni ọna asopọ oke ko le ṣe ina, ati awọn sẹẹli oorun ti a ṣe ilana pinnu agbara iran agbara ti awọn modulu fọtovoltaic.

(2) Ìsọrí:Lati irisi iru sobusitireti, awọn sẹẹli le pin si awọn oriṣi meji:Awọn sẹẹli iru P ati awọn sẹẹli iru N.Doping boron ni ohun alumọni kirisita le ṣe P-type semikondokito;irawọ owurọ doping le ṣe awọn semikondokito iru N.Ohun elo aise ti batiri iru P jẹ wafer silikoni iru P (doped pẹlu boron), ati ohun elo aise ti batiri iru N jẹ wafer silikoni iru N (doped pẹlu irawọ owurọ).Awọn sẹẹli iru P ni akọkọ pẹlu BSF (ceke aaye ẹhin aluminiomu aṣa) ati PERC (emitter passivated ati sẹẹli ẹhin);Awọn sẹẹli iru N jẹ awọn imọ-ẹrọ akọkọ diẹ sii lọwọlọwọTOPcon(tunneling ohun elo afẹfẹ Layer olubasọrọ passivation) ati HJT (ojulowo tinrin fiimu Hetero junction).Batiri N-iru n ṣe ina mọnamọna nipasẹ awọn elekitironi, ati pe attenuation ti o ni ina ti o fa nipasẹ bata atomu boron-oxygen jẹ kere si, nitorina iyipada iyipada fọtoelectric jẹ ti o ga julọ.

3. Ifihan ti PERC batiri

(1) Akopọ: Orukọ kikun ti batiri PERC jẹ “emitter ati batiri passivation ẹhin”, eyiti o jẹ ti ara lati inu eto AL-BSF ti batiri aaye ẹhin aluminiomu mora.Lati oju wiwo igbekale, awọn mejeeji jọra, ati pe batiri PERC nikan ni Layer palolo ẹhin diẹ sii ju batiri BSF (imọ-ẹrọ batiri iran ti tẹlẹ).Ibiyi ti akopọ pasifiti ẹhin ngbanilaaye sẹẹli PERC lati dinku iyara isọdọtun ti dada ẹhin lakoko ti o mu imudara ina ti dada ẹhin ati imudarasi ṣiṣe iyipada ti sẹẹli naa.

(2) Itan idagbasoke: Lati ọdun 2015, awọn batiri PERC inu ile ti wọ ipele ti idagbasoke iyara.Ni ọdun 2015, agbara iṣelọpọ batiri PERC ti ile de aye akọkọ ni agbaye, ṣiṣe iṣiro 35% ti agbara iṣelọpọ batiri PERC agbaye.Ni ọdun 2016, “Eto olusare Photovoltaic Top” ti a ṣe nipasẹ Isakoso Agbara ti Orilẹ-ede yorisi ibẹrẹ osise ti iṣelọpọ ibi-iṣelọpọ ti awọn sẹẹli PERC ni Ilu China, pẹlu ṣiṣe apapọ ti 20.5%.2017 ni a Titan ojuami fun awọn oja ipin tiawọn sẹẹli fọtovoltaic.Ipin ọja ti awọn sẹẹli aṣa bẹrẹ si kọ.Ipin ọja sẹẹli PERC inu ile pọ si 15%, ati pe agbara iṣelọpọ rẹ ti pọ si 28.9GW;

Lati ọdun 2018, awọn batiri PERC ti di ojulowo ni ọja.Ni ọdun 2019, iṣelọpọ ibi-nla ti awọn sẹẹli PERC yoo yara, pẹlu ṣiṣe iṣelọpọ ibi-pupọ ti 22.3%, ṣiṣe iṣiro diẹ sii ju 50% ti agbara iṣelọpọ, ni ifowosi ju awọn sẹẹli BSF lọ lati di imọ-ẹrọ sẹẹli akọkọ akọkọ ti fọtovoltaic.Gẹgẹbi awọn iṣiro CPIA, nipasẹ 2022, ṣiṣe iṣelọpọ ibi-pupọ ti awọn sẹẹli PERC yoo de 23.3%, ati pe agbara iṣelọpọ yoo jẹ iroyin fun diẹ sii ju 80%, ati pe ipin ọja yoo tun wa ni ipo akọkọ.

4. TOPcon batiri

(1) Apejuwe:TOPcon batiri, ti o ni, awọn tunneling ohun elo afẹfẹ Layer passivation olubasọrọ cell, ti wa ni pese sile lori pada ti awọn batiri pẹlu ohun olekenka-tinrin tunneling ohun elo afẹfẹ Layer ati ki o kan Layer ti gíga doped polysilicon tinrin Layer, eyi ti papo dagba kan passivation olubasọrọ be.Ni 2013, o ti dabaa nipasẹ Fraunhofer Institute ni Germany.Ti a ṣe afiwe pẹlu awọn sẹẹli PERC, ọkan ni lati lo silikoni iru n bi sobusitireti.Ti a ṣe afiwe pẹlu awọn sẹẹli ohun alumọni iru p-iru, ohun alumọni iru n ni igbesi aye gbigbe to gun, ṣiṣe iyipada giga, ati ina alailagbara.Awọn keji ni lati mura kan passivation Layer (olekenka-tinrin ohun alumọni oxide SiO2 ati doped poli silikoni tinrin Layer Poly-Si) lori pada lati fẹlẹfẹlẹ kan ti olubasọrọ passivation be ti o patapata ya sọtọ awọn doped ekun lati awọn irin, eyi ti o le siwaju din ẹhin. dada.Iṣeeṣe atunko ti ngbe kekere laarin oju ati irin ṣe ilọsiwaju ṣiṣe iyipada ti batiri naa.